<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<html xmlns="http://www.w3.org/1999/xhtml" xmlns:wx="http://ilps.science.uva.nl/WikiXML/wx" xml:lang="it" lang="it">
<head>
<title>Crescita epitassiale</title>
<meta name="wx_namespace" content="0"/>
<meta name="wx_pagename" content="Crescita_epitassiale"/>
<meta name="wx_page_id" content="620078"/>
</head>
<body>
<div id="wx_article">
<wx:section level="1" title="Crescita epitassiale" id="wxsec1"><h1 class="pagetitle" id="wx1">Crescita epitassiale</h1>

<p id="wx2">Per <b id="wx3">crescita epitassiale</b> si intende la deposizione di sottili strati di materiale <a href="/wit/Cristallo" title="Cristallo" wx:linktype="known" wx:pagename="Cristallo" wx:page_id="1361" id="wx4">cristallino</a> su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di <a href="/wit/Nanometro" title="Nanometro" wx:linktype="known" wx:pagename="Nanometro" wx:page_id="3015" id="wx5">nanometro</a> a centinaia di <a href="/wit/Micrometro" title="Micrometro" wx:linktype="known" wx:pagename="Micrometro" wx:page_id="1446947" id="wx6">micron</a>. L'epitassia può definirsi <b id="wx7">omoepitassia</b> quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure <b id="wx8">eteroepitassia</b>, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato.</p>

<a id="Tecniche_epitassiali" name="Tecniche_epitassiali"/>
<wx:section level="2" title="Tecniche epitassiali" id="wxsec2"><h2 id="wx9">Tecniche epitassiali</h2>

<p id="wx10">Le tecniche epitassiali sono molte. Tra le più comuni, l'epitassia da fase liquida (LPE, dall'inglese <i id="wx11">Liquid Phase Epitaxy</i>) permette di crescere strati epitassiali molto spessi, mentre l'<a href="/wit/Epitassia_da_fasci_molecolari" title="Epitassia da fasci molecolari" wx:linktype="known" wx:pagename="Epitassia_da_fasci_molecolari" wx:page_id="720839" id="wx12">epitassia da fasci molecolari</a>(MBE, dall'inglese <i id="wx13">Molecular Beam Epitaxy</i>) e la deposizione di vapori chimici con precursori metallorganici (<a href="/wit/MOCVD" class="new" title="MOCVD" wx:linktype="unknown" wx:pagename="MOCVD" id="wx14">MOCVD</a>, dall'inglese <i id="wx15">Metal-Organic Chemical Vapour Deposition</i>) permettono un controllo dello spessore dei materiali dell'ordine del singolo strato atomico e sono adatte a crescere spessori relativamente sottili, fino a pochi micron.</p>

<a id="Voci_correlate" name="Voci_correlate"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Voci correlate" id="wxsec3"><h2 id="wx16">Voci correlate</h2>

<ul id="wx17">
<li id="wx18"><a href="/wit/Fabbricazione_dei_dispositivi_a_semiconduttore" title="Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore" wx:linktype="known" wx:pagename="Fabbricazione_dei_dispositivi_a_semiconduttore" wx:page_id="431931" id="wx19">Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore</a></li>
</ul>
</wx:section></wx:section></div>
<div id="wx_categorylinks">
<a href="/wit/index.php?title=Speciale:Categories&amp;article=Crescita_epitassiale" title="Speciale:Categories" wx:linktype="known" wx:pagename="Speciale:Categories" id="wx20">Categoria</a>: <span dir="ltr" id="wx21"><a href="/wit/Categoria:Fisica_dei_semiconduttori" title="Categoria:Fisica dei semiconduttori" wx:linktype="known" wx:pagename="Categoria:Fisica_dei_semiconduttori" wx:page_id="242351" id="wx22">Fisica dei semiconduttori</a></span></div>
<div id="wx_languagelinks">
</div>
</body>
</html>
