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<title>EEPROM</title>
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<div id="wx_article">
<wx:section level="1" title="EEPROM" id="wxsec1"><h1 class="pagetitle" id="wx1">EEPROM</h1>

<p id="wx2">La <b id="wx3">EEPROM</b>, acronimo di <i id="wx4">Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory</i>, è una memoria <a href="/wit/Read_only_memory" title="Read only memory" wx:linktype="known" wx:pagename="Read_only_memory" wx:page_id="3659" id="wx5">ROM</a> programmabile da parte dell'utente. Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.</p>

<p id="wx6">Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo bit è costituita da due transistori <a href="/wit/MOS" title="MOS" wx:linktype="known" wx:pagename="MOS" wx:page_id="37024" id="wx7">MOS</a>, uno "di memoria" e uno "di accesso".</p>

<p id="wx8"><br id="wx9"/>
</p>

<div id="wx_toc"/>

<a id="Nascita_della_tecnologia" name="Nascita_della_tecnologia"/>
<wx:section level="2" title="Nascita della tecnologia" id="wxsec2"><h2 id="wx10">Nascita della tecnologia</h2>

<p id="wx11">La tecnologia EEPROM è stata sviluppata sulla base della preesistente tecnologia <a href="/wit/EPROM" title="EPROM" wx:linktype="known" wx:pagename="EPROM" wx:page_id="26063" id="wx12">EPROM</a> al fine di ovviare al problema della cancellazione dei dati.</p>

<p id="wx13">In ambito EPROM, infatti, mentre la scrittura può avere luogo per via elettrica, la cancellazione viene effettuata attraverso l'esposizione a radiazione UV, con conseguenti inconvenienti di natura logistica (rimozione del chip dalla scheda su cui è assemblato, perdita di tempo).</p>

<a id="Il_transistor_di_memoria" name="Il_transistor_di_memoria"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Il transistor di memoria" id="wxsec3"><h2 id="wx14">Il transistor di memoria</h2>

<p id="wx15">Il <a href="/wit/Transistor" title="Transistor" wx:linktype="known" wx:pagename="Transistor" wx:page_id="1009581" id="wx16">transistor</a> di memoria ha due <a href="/wit/Gate" title="Gate" wx:linktype="known" wx:pagename="Gate" wx:page_id="1200038" id="wx17">gate</a>.</p>

<p id="wx18">Il primo è un gate tradizionale, collegato elettricamente con il resto del circuito. Il secondo è un <i id="wx19">gate</i> sepolto e isolato elettricamente. Esso è separato dal primo gate, così come dal canale del transistor, per mezzo di un sottilissimo strato di materiale isolante. Per questo motivo è detto "floating gate". In gergo, lo si definisce <i id="wx20">flottante</i>.</p>

<p id="wx21">A differenza delle EPROM, nelle EEPROM vi è una regione, in prossimità del <a href="/wit/Drain" title="Drain" wx:linktype="known" wx:pagename="Drain" wx:page_id="188680" id="wx22">drain</a>, in cui lo spessore dello strato di ossido che separa il floating gate dal canale è ridotto al punto tale da permettere il passaggio di elettroni, dal gate sepolto al canale, o viceversa, per <a href="/wit/Effetto_tunnel" title="Effetto tunnel" wx:linktype="known" wx:pagename="Effetto_tunnel" wx:page_id="109737" id="wx23">effetto tunnel</a> (Fowler-Nordheim).</p>

<p id="wx24">Il <a href="/wit/Transistor" title="Transistor" wx:linktype="known" wx:pagename="Transistor" wx:page_id="1009581" id="wx25">transistor</a> di memoria viene programmato attraverso il pilotaggio in tensione del gate "esterno". La variazione del potenziale a cui questo si trova esposto determina, nella zona in cui il ridotto spessore dell'ossido isolante lo rende possibile, il manifestarsi dell'effetto tunnel e la conseguente attrazione di elettroni dal drain al gate sepolto.</p>

<a id="Il_transistor_di_accesso" name="Il_transistor_di_accesso"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Il transistor di accesso" id="wxsec4"><h2 id="wx26">Il transistor di accesso</h2>

<p id="wx27">Come nel caso delle memorie EPROM, anche le EEPROM presentano una criticità legata alla fase di cancellazione. Il processo di scarica del floating gate può infatti determinare, come effetto indesiderato, l'accumulo di una carica positiva con conseguente variazione della tensione di soglia del dispositivo. Il problema è stato risolto mediante l'introduzione dei transistori di accesso, che sono parte integrante della cella.</p>

<p id="wx28">La presenza di questi ultimi determina tuttavia, un maggiore impiego di area rispetto alle EPROM. Per ovviare a questo problema sono nate le <a href="/wit/Memoria_flash" title="Memoria flash" wx:linktype="known" wx:pagename="Memoria_flash" wx:page_id="91781" id="wx29">memorie flash</a>. È bene ricordare che le memorie flash differiscono dalle EEPROM per il fatto che la programmazione si basa, in quest'ultimo caso, sul fenomeno fisico della <a href="/wit/Iniezione_a_valanga" class="new" title="Iniezione a valanga" wx:linktype="unknown" wx:pagename="Iniezione_a_valanga" id="wx30">iniezione a valanga</a>, e non su quello dell'effetto tunnel.</p>

<p id="wx31">Il transistor di accesso, pilotato dalla word line, svolge inoltre la funzione di mettere in comunicazione il transistor di memoria con la bit line quando è necessario leggere il dato binario immagazzinato sotto forma di carica elettrica all'interno del canale del transistor.</p>

<a id="Considerazioni_conclusive" name="Considerazioni_conclusive"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Considerazioni conclusive" id="wxsec5"><h2 id="wx32">Considerazioni conclusive</h2>

<p id="wx33">Le EEPROM sono il più diffuso componente elettronico ad utilizzare principi della <a href="/wit/Meccanica_quantistica" title="Meccanica quantistica" wx:linktype="known" wx:pagename="Meccanica_quantistica" wx:page_id="2838" id="wx34">meccanica quantistica</a>.</p>

<a id="Bibliografia" name="Bibliografia"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Bibliografia" id="wxsec6"><h2 id="wx35">Bibliografia</h2>

<ul id="wx36">
<li id="wx37">
<p id="wx38">Angelo Geraci, <i id="wx39">Principi di elettronica dei sistemi digitali</i>, editore McGraw-Hill</p>
</li>
</ul>

<a id="Voci_correlate" name="Voci_correlate"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Voci correlate" id="wxsec7"><h2 id="wx40">Voci correlate</h2>

<ul id="wx41">
<li id="wx42"><a href="/wit/EPROM" title="EPROM" wx:linktype="known" wx:pagename="EPROM" wx:page_id="26063" id="wx43">EPROM</a></li>

<li id="wx44"><a href="/wit/RAM" title="RAM" wx:linktype="known" wx:pagename="RAM" wx:page_id="1200437" id="wx45">RAM</a></li>

<li id="wx46"><a href="/wit/BIOS" title="BIOS" wx:linktype="known" wx:pagename="BIOS" wx:page_id="33554" id="wx47">BIOS</a></li>

<li id="wx48"><a href="/wit/Memoria_flash" title="Memoria flash" wx:linktype="known" wx:pagename="Memoria_flash" wx:page_id="91781" id="wx49">Memoria flash</a></li>

<li id="wx50"><a href="/wit/Pendrive" title="Pendrive" wx:linktype="known" wx:pagename="Pendrive" wx:page_id="94962" id="wx51">Pendrive</a></li>
</ul>

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<li style="float:left; height:27px; line-height:25px; width:100%; margin:0; margin-top:.5em; margin-left:0; margin-right:0; padding:0; border:1px solid #CCF; background-color:#F0EEFF" title="Accedi alle voci di Wikipedia che parlano di Informatica" id="wx54"><a href="/wit/Immagine:Stub_Informatica.png" title="Informatica" wx:linktype="image" wx:pagename="Immagine:Stub_Informatica.png" wx:page_id="1387162" id="wx55"><img src="/wit/Immagine:Stub_Informatica.png" alt="Informatica" width="25" height="25" id="wx56"/></a> <b id="wx57"><a href="/wit/Portale:Informatica" class="new" title="Portale:Informatica" wx:linktype="unknown" wx:pagename="Portale:Informatica" id="wx58">Portale Informatica</a></b>
<p id="wx59">:  accedi alle voci di Wikipedia che parlano di Informatica</p>
</li>
</ul>
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<p id="wx87">Informatica</p>
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