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<title>Die (elettronica)</title>
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<div id="wx_article">
<wx:section level="1" title="Die (elettronica)" id="wxsec1"><h1 class="pagetitle" id="wx1">Die (elettronica)</h1>

<div class="wx_image" wx:thumb="thumb" id="wx2"><a href="/wit/Immagine:Dies.jpg" title="Die finiti, pronti per essere montati nel package" wx:linktype="image" wx:pagename="Immagine:Dies.jpg" id="wx3"><img src="/wit/Immagine:Dies.jpg" alt="Die finiti, pronti per essere montati nel package" id="wx4"/></a> 

<div class="thumbcaption" id="wx5"><i id="wx6">Die</i>
<p id="wx7">finiti, pronti per essere montati nel <i id="wx8">package</i></p>
</div>
</div>

<div class="wx_image" wx:thumb="thumb" id="wx9"><a href="/wit/Immagine:153056995_5ef8b01016_o.jpg" title="Die montato nel package" wx:linktype="image" wx:pagename="Immagine:153056995_5ef8b01016_o.jpg" id="wx10"><img src="/wit/Immagine:153056995_5ef8b01016_o.jpg" alt="Die montato nel package" id="wx11"/></a> 

<div class="thumbcaption" id="wx12"><i id="wx13">Die</i>
<p id="wx14">montato nel <i id="wx15">package</i></p>
</div>
</div>

<div class="wx_image" wx:align="right" wx:thumb="thumb" id="wx16"><a href="/wit/Immagine:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll.jpg" title="Wafer di silicio" wx:linktype="image" wx:pagename="Immagine:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll.jpg" id="wx17"><img src="/wit/Immagine:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll.jpg" alt="Wafer di silicio" width="200" id="wx18"/></a> 

<div class="thumbcaption" id="wx19"><a href="/wit/Wafer_%28elettronica%29" title="Wafer (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Wafer_(elettronica)" wx:page_id="907348" id="wx20"><i id="wx21">Wafer</i></a>
<p id="wx22">di silicio</p>
</div>
</div>

<div class="wx_image" wx:thumb="thumb" id="wx23"><a href="/wit/Immagine:555.JPG" title="Un die a media scala di integrazione (del circuito integrato NE555) a cui sono saldati i fili nelle apposite piazzole" wx:linktype="image" wx:pagename="Immagine:555.JPG" id="wx24"><img src="/wit/Immagine:555.JPG" alt="Un die a media scala di integrazione (del circuito integrato NE555) a cui sono saldati i fili nelle apposite piazzole" id="wx25"/></a> 

<div class="thumbcaption" id="wx26">
<p id="wx27">Un <i id="wx28">die</i> a media scala di integrazione (del circuito integrato <a href="/wit/NE555" title="NE555" wx:linktype="known" wx:pagename="NE555" wx:page_id="426407" id="wx29">NE555</a>) a cui sono saldati i fili nelle apposite piazzole</p>
</div>
</div>

<p id="wx30">Il <i id="wx31"><b id="wx32">die</b></i> o <i id="wx33"><b id="wx34">dice</b></i> (letteralmente "dado"; al plurale: <i id="wx35">dice</i>, <i id="wx36">dies</i> e <i id="wx37">die</i>), anche chiamato <i id="wx38"><b id="wx39">chip</b></i>, è la sottile piastrina di materiale <a href="/wit/Semiconduttore" title="Semiconduttore" wx:linktype="known" wx:pagename="Semiconduttore" wx:page_id="3970" id="wx40">semiconduttore</a> (generalmente <a href="/wit/Silicio" title="Silicio" wx:linktype="known" wx:pagename="Silicio" wx:page_id="4015" id="wx41">silicio</a>) sulla quale viene ricavato il <a href="/wit/Circuito_elettrico" title="Circuito elettrico" wx:linktype="known" wx:pagename="Circuito_elettrico" wx:page_id="45506" id="wx42">circuito elettrico</a> di un <a href="/wit/Circuito_integrato" title="Circuito integrato" wx:linktype="known" wx:pagename="Circuito_integrato" wx:page_id="22363" id="wx43">circuito integrato</a>.</p>

<p id="wx44">Per poterlo utilizzare il <i id="wx45">die</i> viene inserito in un contenitore chiamato <i id="wx46"><a href="/wit/Package_%28elettronica%29" title="Package (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Package_(elettronica)" wx:page_id="210597" id="wx47">package</a></i> dal quale fuoriescono i terminali metallici collegati tramite fili sottilissimi al circuito residente sul <i id="wx48">die</i>. I terminali fuoriuscenti dal <i id="wx49">package</i> possono essere di vario tipo, i più comuni sono tre: <i id="wx50">pin</i> (o piedino), <a href="/wit/Reoforo" title="Reoforo" wx:linktype="known" wx:pagename="Reoforo" wx:page_id="663900" id="wx51">reoforo</a> e piazzola (quest'ultimo tipo è utilizzato nei <i id="wx52">package</i> realizzati in <a href="/wit/Ceramica" title="Ceramica" wx:linktype="known" wx:pagename="Ceramica" wx:page_id="117141" id="wx53">ceramica</a> o con base in <a href="/wit/Fibra_di_vetro" title="Fibra di vetro" wx:linktype="known" wx:pagename="Fibra_di_vetro" wx:page_id="783648" id="wx54">fibra di vetro</a>).</p>

<div id="wx_toc"/>

<a id="Realizzazione_di_un_die" name="Realizzazione_di_un_die"/>
<wx:section level="2" title="Realizzazione di un die" id="wxsec2"><h2 id="wx55">Realizzazione di un <i id="wx56">die</i></h2>

<p id="wx57">Il processo di produzione avviene su un substrato di silicio monocristallino quanto più puro e privo di difetti <a href="/wit/Cristallografia" title="Cristallografia" wx:linktype="known" wx:pagename="Cristallografia" wx:page_id="152206" id="wx58">cristallografici</a> possibile. Tali substrati sono costituiti da <a href="/wit/Wafer_%28elettronica%29" title="Wafer (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Wafer_(elettronica)" wx:page_id="907348" id="wx59"><i id="wx60">wafer</i></a> di silicio del diametro tra i 10 e i 12 <a href="/wit/Pollice" title="Pollice" wx:linktype="known" wx:pagename="Pollice" wx:page_id="38546" id="wx61">pollici</a> (dunque tra 25,40 e 30,48 <a href="/wit/Cm" title="Cm" wx:linktype="known" wx:pagename="Cm" wx:page_id="518751" id="wx62">cm</a>)e dello spessore di circa 0,3 <a href="/wit/Millimetro" title="Millimetro" wx:linktype="known" wx:pagename="Millimetro" wx:page_id="48588" id="wx63">mm</a>. Di questo substrato solo la parte superiore sarà interessata alla lavorazione, in quanto tutti i dispositivi saranno realizzati praticamente sulla superficie del <i id="wx64">wafer</i>, in uno spessore dell'ordine dei 10÷20 <a href="/wit/Micron" title="Micron" wx:linktype="known" wx:pagename="Micron" wx:page_id="117767" id="wx65">micron</a>. La parte inferiore ad essa prende il nome di <i id="wx66">bulk</i>. Per questa ragione, quando ci si riferisce alla tecnologia dei <a href="/wit/Circuito_integrato" title="Circuito integrato" wx:linktype="known" wx:pagename="Circuito_integrato" wx:page_id="22363" id="wx67">circuiti integrati</a> si parla di <i id="wx68"><a href="/wit/Silicon_planar_technology" class="new" title="Silicon planar technology" wx:linktype="unknown" wx:pagename="Silicon_planar_technology" id="wx69">silicon planar technology</a></i>.<br id="wx70"/>
I processi necessari per ottenere i <i id="wx71">wafer</i> per la fabbricazione dei circuiti integrati sono molto complessi ma possono essere così semplificati:</p>

<ol id="wx72">
<li id="wx73">
<p id="wx74">Si parte dalla <a href="/wit/Quarzite" title="Quarzite" wx:linktype="known" wx:pagename="Quarzite" wx:page_id="510946" id="wx75">quarzite</a> come materiale grezzo ed essa viene sottoposta a complessi processi di raffinazione per far si che diventi <a href="/wit/Silicio_policristallino" title="Silicio policristallino" wx:linktype="known" wx:pagename="Silicio_policristallino" wx:page_id="1385764" id="wx76">silicio policristallino</a>, definito di grado elettronico (EGS) <sup id="_ref-0" class="reference"><a href="#_note-0" title="" wx:fragment="_note-0" wx:linktype="note" id="wx77"/></sup>, cioè silicio con meno di un'impurità ogni miliardo di atomi (molto puro).</p>
</li>
</ol>

<ol id="wx78">
<li id="wx79">
<p id="wx80">Il polisilicio di tipo EGS viene sottoposto ad accrescimento cristallino per ottenere un lingotto monocristallino ultrapuro. A tal fine esistono due tecniche: la <i id="wx81"><a href="/wit/Processo_Czochralski" title="Processo Czochralski" wx:linktype="known" wx:pagename="Processo_Czochralski" wx:page_id="282457" id="wx82">Czochralski</a></i> (CZ) e la <i id="wx83"><a href="/wit/Float_Zone" class="new" title="Float Zone" wx:linktype="unknown" wx:pagename="Float_Zone" id="wx84">Float Zone</a></i> (FZ).</p>
</li>
</ol>

<ol id="wx85">
<li id="wx86">
<p id="wx87">Ogni lingotto viene segato, in modo da ottenere i <i id="wx88">wafer</i> succitati e <a href="/wit/Lappatura" title="Lappatura" wx:linktype="known" wx:pagename="Lappatura" wx:page_id="879489" id="wx89">lappato</a> per evitare che sulla superficie del <i id="wx90">wafer</i> ci siano irregolarità che si ripercuoterebbero in maniera pesante sul buon funzionamento del circuito integrato. A causa delle irregolarità, infatti, si potrebbero avere variazioni dello spessore delle piste conduttrici, con conseguenti variazioni in qualche punto, della conducibilità elettrica delle stesse.</p>
</li>
</ol>

<p id="wx91">Una volta realizzato il <i id="wx92">wafer</i> è necessario proteggerlo da processi corrosivi, inevitabilmente innescati da eventuali particelle d'<a href="/wit/Acqua" title="Acqua" wx:linktype="known" wx:pagename="Acqua" wx:page_id="1467713" id="wx93">acqua</a> nell'<a href="/wit/Aria" title="Aria" wx:linktype="known" wx:pagename="Aria" wx:page_id="75677" id="wx94">aria</a>, e da sollecitazioni meccaniche alle quali può essere sottoposto. A tal fine usualmente si effettua una deposizione di materiale isolante avente anche la funzione di impedire eventuali <a href="/wit/Corto_circuito" title="Corto circuito" wx:linktype="known" wx:pagename="Corto_circuito" wx:page_id="241697" id="wx95">corto circuito</a> tra le piste conduttrici disposte su <i id="wx96">layer</i> <sup id="_ref-1" class="reference"><a href="#_note-1" title="" wx:fragment="_note-1" wx:linktype="note" id="wx97"/></sup> diversi. L'<a href="/wit/Ossido_di_silicio" title="Ossido di silicio" wx:linktype="known" wx:pagename="Ossido_di_silicio" wx:page_id="850083" id="wx98">ossido di silicio</a>, SiO<sub id="wx99">2</sub>, è il più diffuso <a href="/wit/Isolante_elettrico" title="Isolante elettrico" wx:linktype="known" wx:pagename="Isolante_elettrico" wx:page_id="58606" id="wx100">isolante</a> impiegato nella produzione dei circuiti integrati. Ci sono diverse tecniche che permettono di avere una crescita di ossido sulla superficie della fetta di silicio, ma quella più usata è l'<a href="/wit/Ossidazione" title="Ossidazione" wx:linktype="known" wx:pagename="Ossidazione" wx:page_id="52181" id="wx101">ossidazione</a> termica. Questa procedura consiste nell'esporre il silicio ad agenti ossidanti, quali acqua o <a href="/wit/Ossigeno" title="Ossigeno" wx:linktype="known" wx:pagename="Ossigeno" wx:page_id="3142" id="wx102">ossigeno</a>, ad elevate <a href="/wit/Temperatura" title="Temperatura" wx:linktype="known" wx:pagename="Temperatura" wx:page_id="8953" id="wx103">temperature</a> e consente di avere un buon controllo sullo spessore e le proprietà chimiche dello strato di SiO<sub id="wx104">2</sub> accresciuto. L'ossido di silicio, lasciato libero di agire senza nessun controllo esterno, tenderebbe a formare <a href="/wit/Quarzo" title="Quarzo" wx:linktype="known" wx:pagename="Quarzo" wx:page_id="553496" id="wx105">quarzo</a>, ed è per questa ragione che è necessario lavorare a temperature dell'ordine dei 1000<a href="/wit/Grado_centigrado" title="Grado centigrado" wx:linktype="known" wx:pagename="Grado_centigrado" wx:page_id="125193" id="wx106">°C</a>. Costringendo l'ossido ad avere una crescita termica sulla fetta di silicio, infatti, si fa in modo che esso si deformi non costituendo più una <a href="/wit/Reticolo_cristallino" title="Reticolo cristallino" wx:linktype="known" wx:pagename="Reticolo_cristallino" wx:page_id="96637" id="wx107">struttura cristallina</a> ma <a href="/wit/Solido_amorfo" title="Solido amorfo" wx:linktype="known" wx:pagename="Solido_amorfo" wx:page_id="322517" id="wx108">amorfa</a>. Un'ossidazione a temperatura ambiente, inoltre, provocherebbe la <a href="/wit/Passivazione" title="Passivazione" wx:linktype="known" wx:pagename="Passivazione" wx:page_id="284445" id="wx109">passivazione</a> del silicio e bloccherebbe così il proseguimento dell'ossidazione. A seconda che si usi come agente ossidante ossigeno, O<sub id="wx110">2</sub>, o acqua, si parla rispettivamente di <i id="wx111">dry ossidation</i> e di <i id="wx112">wet ossidation</i>. Le reazioni chimiche che avvengono in queste ossidazioni sono rispettivamente:</p>

<ul id="wx113">
<li id="wx114">
<p id="wx115">Si+O<sub id="wx116">2</sub> --&gt; SiO<sub id="wx117">2</sub> (<i id="wx118">dry ossidation</i>);</p>
</li>

<li id="wx119">
<p id="wx120">Si+2H<sub id="wx121">2</sub>O --&gt; SiO<sub id="wx122">2</sub>+2H<sub id="wx123">2</sub> (<i id="wx124">steam ossidation</i>).</p>
</li>
</ul>

<p id="wx125">L'ossido di silicio, essendo un ottimo isolante viene usato per la passivazione del silicio, altri composti come il nitruro di silicio, Si<sub id="wx126">3</sub>N<sub id="wx127">4</sub>, vengono utilizzati per proteggere il chip dall'<a href="/wit/Umidit%C3%A0" title="Umidità" wx:linktype="known" wx:pagename="Umidità" wx:page_id="290508" id="wx128">umidità</a> . Questi strati isolanti vengono di solito deposti per <i id="wx129"><a href="/wit/Sputtering" title="Sputtering" wx:linktype="known" wx:pagename="Sputtering" wx:page_id="236283" id="wx130">sputtering</a></i> o <i id="wx131"><a href="/wit/Chemical_vapor_deposition" title="Chemical vapor deposition" wx:linktype="known" wx:pagename="Chemical_vapor_deposition" wx:page_id="239288" id="wx132"><b id="wx133">c</b>hemical <b id="wx134">v</b>apor <b id="wx135">d</b>eposition</a></i> (CVD).</p>

<p id="wx136">Man mano che il processo di ossidazione avanza, il silicio viene consumato e lo spessore del <i id="wx137">layer</i> di SiO<sub id="wx138">2</sub> aumenta spostando l'interfaccia Si-SiO<sub id="wx139">2</sub> più in profondità nel substrato di silicio. Poiché la densità del silicio è pari a 5,0 × 10<sup id="wx140">22</sup> atomi/<a href="/wit/Centimetro_cubo" title="Centimetro cubo" wx:linktype="known" wx:pagename="Centimetro_cubo" wx:page_id="68158" id="wx141">cm<sup id="wx142">3</sup></a>, mentre quella dell'ossido di silicio è pari a 2,2 × 10<sup id="wx143">22</sup> atomi/cm<sup id="wx144">3</sup>, l'ossidazione comporta un aumento di volume. Tale aumento di volume si può valutare dal rapporto tra <a href="/wit/Volume" title="Volume" wx:linktype="known" wx:pagename="Volume" wx:page_id="11259" id="wx145">volume</a> di ossido accresciuto e volume di silicio consumato, ed essendo pari al rapporto tra la densità del silicio e quella dell'ossido di silicio, è pari a 2,28. L'interfaccia ossido silicio, pertanto, si abbasserà, rispetto alla posizione iniziale, del 44% dello spessore dell'ossido accresciuto, essendo 2,28<sup id="wx146">-1</sup> = 0,44 <a href="/wit/Approssimazione" title="Approssimazione" wx:linktype="known" wx:pagename="Approssimazione" wx:page_id="58288" id="wx147">approssimando</a> per eccesso alla seconda cifra decimale.</p>

<p id="wx148">La fabbricazione dei circuiti integrati sui <i id="wx149">wafer</i> di silicio richiede che molti <i id="wx150">layer</i>, ognuno con uno schema diverso, sia depositato sulla superficie uno alla volta, e che il <a href="/wit/Drogaggio" title="Drogaggio" wx:linktype="known" wx:pagename="Drogaggio" wx:page_id="62733" id="wx151">drogaggio</a> delle zone attive venga fatto nelle giuste dosi evitando che esso diffonda in regioni diverse da quelle di progetto. I vari <i id="wx152">pattern</i> <sup id="_ref-2" class="reference"><a href="#_note-2" title="" wx:fragment="_note-2" wx:linktype="note" id="wx153"/></sup> usati nella deposizione dei <i id="wx154">layer</i> sul substrato sono realizzati grazie ad un processo chiamato <a href="/wit/Litografia_%28elettronica%29" title="Litografia (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Litografia_(elettronica)" wx:page_id="473493" id="wx155">litografia</a>.</p>

<p id="wx156">Il processo di litografia si sviluppa in varie fasi.</p>

<p id="wx157">Dapprima la superficie del <i id="wx158">wafer</i> viene rivestita con un materiale chiamato <i id="wx159"><b id="wx160">p</b>hoto<b id="wx161">r</b>esist</i> (PR); tale strato viene poi esposto selettivamente a radiazione quale <a href="/wit/Radiazione_ultravioletta" title="Radiazione ultravioletta" wx:linktype="known" wx:pagename="Radiazione_ultravioletta" wx:page_id="3779" id="wx162">luce ultravioletta</a>, <a href="/wit/Raggi_X" title="Raggi X" wx:linktype="known" wx:pagename="Raggi_X" wx:page_id="3780" id="wx163">raggi X</a>, fascio elettronico. La selezione dell'area da irraggiare avviene mediante l'uso di una maschera sulla quale è stato precedentemente realizzato il <i id="wx164">pattern</i> che si vuole conferire al <i id="wx165">layer</i> sul substrato di silicio, e che è trasparente ovunque tranne nelle zone sulle quali sono state realizzate le forme dello schema, oppure, nel caso di uso di un <a href="/wit/Fascio_ionico" class="new" title="Fascio ionico" wx:linktype="unknown" wx:pagename="Fascio_ionico" id="wx166">fascio ionico</a>, utilizzando un <a href="/wit/Cannone_a_ioni" title="Cannone a ioni" wx:linktype="known" wx:pagename="Cannone_a_ioni" wx:page_id="251622" id="wx167">cannone</a>, controllato da un opportuno <a href="/wit/Software" title="Software" wx:linktype="known" wx:pagename="Software" wx:page_id="3889" id="wx168">software</a>, simile a quelli presenti nei <a href="/wit/Tubo_catodico" title="Tubo catodico" wx:linktype="known" wx:pagename="Tubo_catodico" wx:page_id="75129" id="wx169">cinescopi</a> dei <a href="/wit/Televisore" title="Televisore" wx:linktype="known" wx:pagename="Televisore" wx:page_id="60280" id="wx170">televisori</a>. In questo ultimo caso si parla di elettrolitografia, mentre quando si fa uso di radiazione luminosa si parla di fotolitografia.</p>

<p id="wx171">Quando il <i id="wx172">photoresist</i> viene bombardato da una opportuna radiazione, esso <a href="/wit/Polimerizzazione" title="Polimerizzazione" wx:linktype="known" wx:pagename="Polimerizzazione" wx:page_id="233475" id="wx173">polimerizza</a>. Dopo l'esposizione il PR è soggetto a sviluppo (come una pellicola fotografica) che distrugge le zone esposte alla radiazione o quelle in ombra a seconda che si sia usato un PR positivo o negativo. Il primo, infatti, lascia attaccare le zone polimerizzate, il secondo, al contrario, quelle non polimerizzate ottenendo le forme duali a quelle ottenute con il primo PR citato. Solitamente lo sviluppo consta di tre attacchi acidi: nel primo si scava nel PR fino allo strato di ossido, nel secondo si giunge fino al silicio sottostante e con l'ultimo viene asportato il <i id="wx174">photoresist</i> residuo.</p>

<p id="wx175">Il processo di rimozione del <i id="wx176">photoresist</i> è un processo <a href="/wit/Isotropia" title="Isotropia" wx:linktype="known" wx:pagename="Isotropia" wx:page_id="225380" id="wx177">isotropo</a> e per questa ragione può avvenire il fenomeno del "sotto attacco" o <i id="wx178">under etching</i> nel durante il quale viene scavato anche ciò che si trova sotto il <i id="wx179">resist</i>.<br id="wx180"/>
 I processi di <i id="wx181">etching</i> generalmente si dividono in quelli completamente isotropi, che fanno uso di reagenti chimici (attacco acido) e che vengono chiamati <i id="wx182">wet etching</i>, e quelli completamente anisotropi chiamati <i id="wx183">dry etching</i>. Questi ultimi utilizzano agenti ossidanti e riducenti, prodotti da gas di processo <a href="/wit/Ionizzazione" title="Ionizzazione" wx:linktype="known" wx:pagename="Ionizzazione" wx:page_id="1279564" id="wx184">ionizzati</a> mediante una scarica di <a href="/wit/Plasma_%28fisica%29" title="Plasma (fisica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Plasma_(fisica)" wx:page_id="55053" id="wx185">plasma</a>. Per questo motivo si parla di <i id="wx186">plasma etching</i>.</p>

<p id="wx187">Questo ultimo tipo di <i id="wx188">etching</i>, oltre all'isotropia, è caratterizzato dall'essere più lento del primo, dall'avere un buon controllo, una più alta risoluzione e un maggiore costo di realizzazione rispetto a quello di tipo <i id="wx189">wet</i> che dal canto suo permette di ottenere superfici più lisce.</p>

<p id="wx190">A questo punto i chip prodotti vengono controllati. Si definisce resa il rapporto tra il numero di <i id="wx191">dice</i> funzionanti e quello di <i id="wx192">dice</i> totali prodotti. Tale valore nelle moderne fabbriche è anche superiore al 90%. I <i id="wx193">dice</i> vengono montati all'interno dei <i id="wx194">package</i> (processo di <i id="wx195">packaging</i>) e collegati ai terminali metallici del <i id="wx196">package</i> (processo di <i id="wx197">bonding</i>) con filo metallico più sottile di un <a href="/wit/Capelli" title="Capelli" wx:linktype="known" wx:pagename="Capelli" wx:page_id="285953" id="wx198">capello</a>, in origine il filo era in <a href="/wit/Oro" title="Oro" wx:linktype="known" wx:pagename="Oro" wx:page_id="3143" id="wx199">oro</a> puro. I terminali del <i id="wx200">package</i> sono il tramite con cui il <i id="wx201">die</i> può comunicare con il circuito in cui verrà inserito.</p>

<a id="Note" name="Note"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Note" id="wxsec3"><h2 id="wx202">Note</h2>

<ol class="references" id="wx203">
<li id="_note-0"><a href="#_ref-0" title="" wx:fragment="_ref-0" wx:linktype="noteref" id="wx204"><b id="wx205">^</b></a> <i id="wx206"><b id="wx207">E</b>lectronic <b id="wx208">G</b>rade <b id="wx209">S</b>ilicon</i></li>

<li id="_note-1"><a href="#_ref-1" title="" wx:fragment="_ref-1" wx:linktype="noteref" id="wx210"><b id="wx211">^</b></a>
<p id="wx212">letteralmente: strati, livelli</p>
</li>

<li id="_note-2"><a href="#_ref-2" title="" wx:fragment="_ref-2" wx:linktype="noteref" id="wx213"><b id="wx214">^</b></a>
<p id="wx215">letteralmente: modelli, disegni, campioni</p>
</li>
</ol>

<a id="Voci_correlate" name="Voci_correlate"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Voci correlate" id="wxsec4"><h2 id="wx216">Voci correlate</h2>

<ul id="wx217">
<li id="wx218"><a href="/wit/Circuito_integrato" title="Circuito integrato" wx:linktype="known" wx:pagename="Circuito_integrato" wx:page_id="22363" id="wx219">Circuito integrato</a></li>

<li id="wx220"><a href="/wit/Fabbricazione_dei_dispositivi_a_semiconduttore" title="Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore" wx:linktype="known" wx:pagename="Fabbricazione_dei_dispositivi_a_semiconduttore" wx:page_id="431931" id="wx221">Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore</a></li>

<li id="wx222"><a href="/wit/Wafer_%28elettronica%29" title="Wafer (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Wafer_(elettronica)" wx:page_id="907348" id="wx223"><i id="wx224">Wafer</i> (elettronica)</a></li>

<li id="wx225"><a href="/wit/Package_%28elettronica%29" title="Package (elettronica)" wx:linktype="known" wx:pagename="Package_(elettronica)" wx:page_id="210597" id="wx226">Package (elettronica)</a></li>
</ul>

<a id="Collegamenti_esterni" name="Collegamenti_esterni"/>
</wx:section><wx:section level="2" title="Collegamenti esterni" id="wxsec5"><h2 id="wx227">Collegamenti esterni</h2>

<a id="Audio_video" name="Audio_video"/>
<wx:section level="3" title="Audio video" id="wxsec6"><h3 id="wx228">Audio video</h3>

<ul id="wx229">
<li id="wx230"><wx:template id="wx_t1" pagename="Template:En" page_id="121878"/>
<p id="wx231">(<span style="font-weight:bolder; font-size:80%" id="wx232"><a href="/wit/Lingua_inglese" title="Lingua inglese" wx:linktype="known" wx:pagename="Lingua_inglese" wx:page_id="2523" id="wx233">EN</a></span>) <wx:templateend start="wx_t1"/> <a href="http://www.necel.com/v_factory/en/index.html" class="external text" wx:linktype="external" rel="nofollow" id="wx234">Visita virtuale nella fabbrica di circuiti integrati della <a href="/wit/NEC_Corporation" title="NEC Corporation" wx:linktype="known" wx:pagename="NEC_Corporation" wx:page_id="432229" id="wx235">NEC</a></a></p>
</li>

<li id="wx236"><wx:template id="wx_t2" pagename="Template:En" page_id="121878"/>
<p id="wx237">(<span style="font-weight:bolder; font-size:80%" id="wx238"><a href="/wit/Lingua_inglese" title="Lingua inglese" wx:linktype="known" wx:pagename="Lingua_inglese" wx:page_id="2523" id="wx239">EN</a></span>) <wx:templateend start="wx_t2"/> <a href="http://www.appliedmaterials.com/HTMAC/animated.html" class="external text" wx:linktype="external" rel="nofollow" id="wx240">Una presentazione del processo di realizzazione di un circuito integrato della Applied Materials Inc.</a></p>
</li>
</ul>
</wx:section></wx:section></wx:section></div>
<div id="wx_categorylinks">
<a href="/wit/index.php?title=Speciale:Categories&amp;article=Die_%28elettronica%29" title="Speciale:Categories" wx:linktype="known" wx:pagename="Speciale:Categories" id="wx241">Categoria</a>: <span dir="ltr" id="wx242"><a href="/wit/Categoria:Dispositivi_elettronici" title="Categoria:Dispositivi elettronici" wx:linktype="known" wx:pagename="Categoria:Dispositivi_elettronici" wx:page_id="1053982" id="wx243">Dispositivi elettronici</a></span></div>
<div id="wx_languagelinks">
Altre lingue: <a href="http://bs.wikipedia.org/wiki/%C4%8Cip" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="bs:Čip" id="wx244">Bosanski</a> | <a href="http://de.wikipedia.org/wiki/Die_%28Halbleitertechnik%29" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="de:Die_(Halbleitertechnik)" id="wx245">Deutsch</a> | <a href="http://en.wikipedia.org/wiki/Die_%28integrated_circuit%29" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="en:Die_(integrated_circuit)" id="wx246">English</a> | <a href="http://fr.wikipedia.org/wiki/Die_%28circuit_int%C3%A9gr%C3%A9%29" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="fr:Die_(circuit_intégré)" id="wx247">Français</a> | <a href="http://hr.wikipedia.org/wiki/%C4%8Cip" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="hr:Čip" id="wx248">Hrvatski</a> | <a href="http://pt.wikipedia.org/wiki/Die_%28circuito_integrado%29" class="external" wx:linktype="interwiki" wx:pagename="pt:Die_(circuito_integrado)" id="wx249">Português</a></div>
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</html>
